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少子寿命仪
少子寿命仪
订货号: MM-79421-00
产地: 中国
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开发编号: N
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产品描述:

少子寿命仪
特点
1. 非接触,无损的半导体电子特性表征
2. 作为单点测量的台式仪器或作为硅片生产线上的高速测量部件
3.  可用于单个硅片的研发测量
4.  测量时间少于么个硅片1特点
5.  测量少子寿命,光电导率,电阻率(可选)
6.  高灵敏度,可视化微小损伤
样品
可测样品  未加工多晶硅片,任意尺寸硅片,晶圆片,硅锭,电池片
样品尺寸  任意尺寸,不小于10 x 10
电阻率    0.1-  Ohm cm
电导类型 P,N
可测材料 硅片,外延层,部分或完全处理的晶圆,化合物半导体
可测参数 少子寿命(稳定态或非平衡态(μ-PCD)可选)
光电导率(稳态)->扩散长度
寿命范围  0.1μs-100ms
激发功率  缺省值双激光,980nm缺省值
测量点    缺省直径0.5mm
测量时间  小于1秒
仪器尺寸 300x240x240mm


品牌简介

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