Vishay传感器及功率Mosfet获奖
2011/9/7 点击：580
宾夕法尼亚、MALVERN—2011年3月28日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，其VCNL4000接近与环境光光学传感器及SiR880DPThunderFET®80V功率MOSFET荣获EN-GeniusNetwork颁发的年度产品奖，该网站在为电子设计工程师提供信息来源方面走在业界前列。
EN-Genius2010年度产品奖的获奖产品是由EN-Genius主编PaulMcGoldrick，以及编辑LeeGoldberg和AlexMendelsohn从年内公开发布的产品中挑选出来的。
Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光检测领域的佳研发奖。该器件完整集成了接近与环境光光学传感器，在业内首次将红外滤波器、光PIN二极管、环境光探测器、信号处理IC和16bitADC集成进小尺寸的3.95mmx3.95mmx0.75mm无引线(LLP)表面贴装封装里。节省空间的VCNL4000支持易用的I2C总线通信接口，能够在各种消费和工业应用中大幅简化设计。
EN-Genius表示：“Vishay将光探测领域的丰富经验应用到这个产品上，对于移动设备的接近检测、显示/键盘对比度控制和调光应用，这款产品在性能和尺寸都堪称完美。产品定价非常合理，在性能表现上也极为出色。”
Vishay的ThunderFETSiR880DP被EN-Genius评为佳高压功率MOSFET，该MOSFET在制造过程中采用了一种新的为更高电压MOSFET优化的低导通电阻技术。SiR880DP是首款可在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET，采用热增强型PowerPAK®SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V下，典型导通电阻与栅极电荷乘积为161，该数值是衡量DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。
EN-Genius评价：“N沟道SiR880DP的显著特点是兼有高电压等级和4.5V栅极驱动等级，且能提供超低的导通电阻。SiR880DP能在4.5V电压下导通，这样就能用5VPWMIC实现更高频率的转换器，而不需要目前所使用的6V器件。产品定价非常有吸引力，还能让以前的设计在DC-DC转换器中继续发挥余热。”
VCNL4000和SiR880DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期分别为十周和十六周。
EN-Genius2010年度产品奖的获奖产品是由EN-Genius主编PaulMcGoldrick，以及编辑LeeGoldberg和AlexMendelsohn从年内公开发布的产品中挑选出来的。
Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光检测领域的佳研发奖。该器件完整集成了接近与环境光光学传感器，在业内首次将红外滤波器、光PIN二极管、环境光探测器、信号处理IC和16bitADC集成进小尺寸的3.95mmx3.95mmx0.75mm无引线(LLP)表面贴装封装里。节省空间的VCNL4000支持易用的I2C总线通信接口，能够在各种消费和工业应用中大幅简化设计。
EN-Genius表示：“Vishay将光探测领域的丰富经验应用到这个产品上，对于移动设备的接近检测、显示/键盘对比度控制和调光应用，这款产品在性能和尺寸都堪称完美。产品定价非常合理，在性能表现上也极为出色。”
Vishay的ThunderFETSiR880DP被EN-Genius评为佳高压功率MOSFET，该MOSFET在制造过程中采用了一种新的为更高电压MOSFET优化的低导通电阻技术。SiR880DP是首款可在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET，采用热增强型PowerPAK®SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V下，典型导通电阻与栅极电荷乘积为161，该数值是衡量DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。
EN-Genius评价：“N沟道SiR880DP的显著特点是兼有高电压等级和4.5V栅极驱动等级，且能提供超低的导通电阻。SiR880DP能在4.5V电压下导通，这样就能用5VPWMIC实现更高频率的转换器，而不需要目前所使用的6V器件。产品定价非常有吸引力，还能让以前的设计在DC-DC转换器中继续发挥余热。”
VCNL4000和SiR880DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期分别为十周和十六周。
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