少子寿命仪
特点
1. 非接触,无损的半导体电子特性表征
2. 作为单点测量的台式仪器或作为硅片生产线上的高速测量部件
3. 可用于单个硅片的研发测量
4. 测量时间少于么个硅片1特点
5. 测量少子寿命,光电导率,电阻率(可选)
6. 高灵敏度,可视化微小损伤
样品
可测样品 未加工多晶硅片,任意尺寸硅片,晶圆片,硅锭,电池片
样品尺寸 任意尺寸,不小于10 x 10
电阻率 0.1- Ohm cm
电导类型 P,N
可测材料 硅片,外延层,部分或完全处理的晶圆,化合物半导体
可测参数 少子寿命(稳定态或非平衡态(μ-PCD)可选)
光电导率(稳态)->扩散长度
寿命范围 0.1μs-100ms
激发功率 缺省值双激光,980nm缺省值
测量点 缺省直径0.5mm
测量时间 小于1秒
仪器尺寸 300x240x240mm |
产品编号 | 产品名称 | 产品简介 | 产品价格 |
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MZ-00191-00 | 少子寿命仪 | 少子寿命仪:可测样品 未加工多晶硅片,任意尺寸硅片,晶圆片,硅锭,电池片 样品尺寸 任意尺寸,不小于10 x 10 | 0¥ |